- Модель продукта SISS32DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:17043
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 17.4A (Ta), 63A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 42 nC @ 10 V
- 1930 pF @ 40 V