- Модель продукта SISS32LDN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:25115
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SH
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 17.4A (Ta), 63A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SH
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 57 nC @ 10 V
- 2550 pF @ 40 V