Инвентаризация:45249

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 8.8A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 24 nC @ 5 V
  • 1604 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO

Инвентаризация: 6806

IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14SOIC

Инвентаризация: 5971

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

Инвентаризация: 640251

DIODE ZENER 10V 500MW SOD123

Инвентаризация: 68168

MOSFET P-CH 30V 8A 8SO

Инвентаризация: 40968

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Инвентаризация: 34062

Top