- Модель продукта SIRA50ADP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10128
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 54.8A (Ta), 219A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.04mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 100W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 40 V
- 150 nC @ 10 V
- 7300 pF @ 20 V