- Модель продукта SISS52DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6470
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8SH
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 47.1A (Ta), 162A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 4.8W (Ta), 57W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8SH
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +16V, -12V
- 30 V
- 65 nC @ 10 V
- 2950 pF @ 15 V