- Модель продукта SIRA80DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.62mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 104W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 30 V
- 188 nC @ 10 V
- 9530 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Инвентаризация: 9312
MOSFET P-CH ESD 12V 4A SOT-23
Инвентаризация: 30000
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Инвентаризация: 1729
MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Инвентаризация: 14040
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Инвентаризация: 9347
DIODE ZENER 5.6V 1W SMA
Инвентаризация: 114853
