- Модель продукта G06P01E
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH ESD 12V 4A SOT-23
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:31500
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 3A, 4.5V
- Материал феррулы 1.8W (Tc)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±10V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
Инвентаризация: 125353
P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Инвентаризация: 9312
MOSFET P-CH ESD 12V 4A SOT-23
Инвентаризация: 30000
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
Инвентаризация: 23
MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Инвентаризация: 90149
