- Модель продукта SIDR392DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:12333
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 82A (Ta), 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.62mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 30 V
- 188 nC @ 10 V
- 9530 pF @ 15 V