Инвентаризация:3170

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3W (Ta), 57.5W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15.5A (Ta), 68A (Tc)
  • Глубина 1440pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 6.5mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 21.3nC @ 10V
  • Барьерный тип 2V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN

Инвентаризация: 1375

MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Инвентаризация: 46297

Top