Инвентаризация:3000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W (Ta), 23W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.8A (Ta), 27A (Tc)
  • Глубина 325pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 7.5A, 10V
  • Тип симистора 6.3nC @ 10V
  • Барьерный тип 3.5V @ 20µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU

Инвентаризация: 7712

Top