Инвентаризация:9212

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W (Ta), 58W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 50A (Tc)
  • Глубина 1354pF @ 20V
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 26nC @ 10V
  • Барьерный тип 3.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PDFNU (5x6)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN

Инвентаризация: 1500

Top