Инвентаризация:3032

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3W (Ta), 38W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 49A (Tc)
  • Глубина 650pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 8.1mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 11nC @ 10V
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 17.6A/70A 8DFN

Инвентаризация: 900

MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN

Инвентаризация: 0

Top