Инвентаризация:2400

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.2W (Ta), 50W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 17.6A (Ta), 70A (Tc)
  • Глубина 1020pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 5.4mOhm @ 25A, 10V
  • Тип симистора 16nC @ 10V
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN

Инвентаризация: 1532

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

Инвентаризация: 1500

Top