Инвентаризация:3000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.2W (Ta), 89W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Ta), 127A (Tc)
  • Глубина 2450pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 2.9mOhm @ 30A, 10V
  • Тип симистора 38nC @ 10V
  • Барьерный тип 3.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


650V/30A FS4 IGBT TO263 A

Инвентаризация: 0

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

Инвентаризация: 1400

Top