- Модель продукта FCD360N65S3R0
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6500
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 360mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-252 (DPAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 650 V
- 18 nC @ 10 V
- 730 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Инвентаризация: 445
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Инвентаризация: 766
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Инвентаризация: 900
