- Модель продукта FCP850N80Z
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 850mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 136W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 600µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 29 nC @ 10 V
- 1315 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Инвентаризация: 5000
MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Инвентаризация: 4929
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Инвентаризация: 445
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Инвентаризация: 6606
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Инвентаризация: 900
