- Модель продукта A2T18S166W12SR3
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS NI780
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа NI-780-2S2L
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 1.805GHz ~ 1.995GHz
- Общее сопротивление 38W
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение NI-780-2S2L
- Длина ножки 28 V
Сопутствующие товары
RF MOSFET LDMOS 48V OM1230-4
Инвентаризация: 0
RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4
Инвентаризация: 0
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 2198
