- Модель продукта A2V07H525-04NR6
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 48V OM1230-4
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа OM-1230-4L
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 595MHz ~ 851MHz
- Общее сопротивление 120W
- Площадь (Д x Ш) 17.5dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение OM-1230-4L
- Длина ножки 105 V
- 48 V
- 700 mA
Сопутствующие товары
RF MOSFET LDMOS NI780
Инвентаризация: 0
RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4
Инвентаризация: 0
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 2198
