- Модель продукта IRF640STRRPBF
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 18A TO263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2161
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 11A, 10V
- Материал феррулы 3.1W (Ta), 130W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 70 nC @ 10 V
- 1300 pF @ 25 V