Инвентаризация:5353

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 13.8mOhm @ 11A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 2.25V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 11 nC @ 4.5 V
  • 770 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 18A DIE

Инвентаризация: 102469

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

Инвентаризация: 86946

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Инвентаризация: 34628

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Инвентаризация: 26961

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Инвентаризация: 146605

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Инвентаризация: 100840

Top