- Модель продукта IRFBE30PBF
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3925
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.1A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3Ohm @ 2.5A, 10V
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 78 nC @ 10 V
- 1300 pF @ 25 V