Инвентаризация:1812

Технические детали

  • Тип монтажа TO-220-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.2A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 800mOhm @ 3.1A, 10V
  • Материал феррулы 50W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-220AB
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 14 nC @ 10 V
  • 260 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 3568

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Инвентаризация: 14006

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Инвентаризация: 22729

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

Инвентаризация: 11134

MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB

Инвентаризация: 5292

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

Инвентаризация: 27454

IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC

Инвентаризация: 4630

Top