- Модель продукта IRF630
- Бренд Harris Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:24229
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 400mOhm @ 5.4A, 10V
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- 200 V
- 43 nC @ 10 V
- 800 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Инвентаризация: 14006
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Инвентаризация: 22729
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Инвентаризация: 8031
