- Модель продукта IRF7103TRPBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:10369
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W
- Внутренняя отделка контактов 50V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A
- Глубина 290pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 3A, 10V
- Тип симистора 30nC @ 10V
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Инвентаризация: 5903
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Инвентаризация: 3995
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Инвентаризация: 10749
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Инвентаризация: 5311
