Инвентаризация:6811

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.8W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A
  • Глубина 330pF @ 40V
  • Сопротивление при 25°C 120mOhm @ 2.5A, 10V
  • Тип симистора 5.7nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA (Min)
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20SOIC

Инвентаризация: 7570

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6

Инвентаризация: 11423

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

Инвентаризация: 8869

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC

Инвентаризация: 38689

MOSFET 2N-CH 100V 2A SOT23-6L

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO

Инвентаризация: 0

Top