Инвентаризация:2717

Технические детали

  • Тип монтажа 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 890mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A (Ta)
  • Глубина 570pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 6A, 4.5V
  • Тип симистора 5.2nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-TSSOP
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Инвентаризация: 2380

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP

Инвентаризация: 9115

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP

Инвентаризация: 26733

SENSOR CARBON DIOXIDE I2C OUTPUT

Инвентаризация: 18692

Top