Инвентаризация:10272

Технические детали

  • Тип монтажа 6-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 300mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 455mA (Ta), 328mA (Ta)
  • Глубина 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0806-6

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963

Инвентаризация: 167705

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN

Инвентаризация: 9710

MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA

Инвентаризация: 0

Top