Инвентаризация:11210

Технические детали

  • Тип монтажа 6-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 370mW (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 400mA (Ta)
  • Глубина 22.6pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.38nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0806-6

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN

Инвентаризация: 8772

Top