- Модель продукта SIR186DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8403
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 23A (Ta), 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 57W (Tc)
- Барьерный тип 3.6V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 37 nC @ 10 V
- 1710 pF @ 30 V