Инвентаризация:5226

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 17.9A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.9mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 2.6W (Ta), 125W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 47.1 nC @ 10 V
  • 2962 pF @ 30 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD

Инвентаризация: 2434

MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060

Инвентаризация: 16982

MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 17.3A/82A PWRDI

Инвентаризация: 4945

MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Инвентаризация: 25680

Top