- Модель продукта SIDR638DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.88mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 40 V
- 204 nC @ 10 V
- 10500 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Инвентаризация: 4522
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Инвентаризация: 9865
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Инвентаризация: 14272
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Инвентаризация: 6000
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Инвентаризация: 7044
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Инвентаризация: 8628
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Инвентаризация: 9347
