Инвентаризация:2759

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.8mOhm @ 21A, 10V
  • Материал феррулы 57W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 120µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 29 nC @ 10 V
  • 2150 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN

Инвентаризация: 11783

MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN

Инвентаризация: 8368

MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN

Инвентаризация: 5082

MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN

Инвентаризация: 1880

Top