Инвентаризация:3380

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta), 84A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 5.9mOhm @ 23A, 10V
  • Материал феррулы 2.7W (Ta), 100W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 120µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (3.3x3.3)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 31 nC @ 10 V
  • 2040 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Инвентаризация: 60656

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Инвентаризация: 8878

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP

Инвентаризация: 4165

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

Инвентаризация: 2230

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 22296

MOSFET 2P-CH 100V 1A HUML2020L8

Инвентаризация: 2927

Top