Инвентаризация:9743

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 6A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.5W (Tc)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 20 V
  • 27 nC @ 4.5 V
  • 2320 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

Инвентаризация: 81952

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3

Инвентаризация: 24999

MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Инвентаризация: 7052

Top