Инвентаризация:2210

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 89A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 15A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.2W (Ta)
  • Барьерный тип 900mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI3333-8
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 20 V
  • 125 nC @ 10 V
  • 4670 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333

Инвентаризация: 2876

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333

Инвентаризация: 1980

P-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 13800

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 300

MOSFET, P-CH, SINGLE, -60A, -20V

Инвентаризация: 2995

Top