Инвентаризация:15300

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A
  • Сопротивление при 25°C 8.3mOhm @ 15A, 4.5V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 38W (Tc)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN3333
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±10V
  • 20 V
  • 149 nC @ 10 V
  • 6358 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Инвентаризация: 710

MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333

Инвентаризация: 2876

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Инвентаризация: 17543

Top