Инвентаризация:6373

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.2W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta), 14A (Tc)
  • Глубина 2110pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 29mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 32nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 11414

MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SO

Инвентаризация: 28707

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC

Инвентаризация: 9973

Top