Технические детали

• Тип монтажа 9-VFBGA
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
• Внутренняя отделка контактов 60V, 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 1.7A, 500mA
• Глубина 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
• Тип симистора 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• Барьерный тип 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• Максимальное переменное напряжение 9-BGA (1.35x1.35)