- Модель продукта SIR692DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 24.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 63mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 104W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 250 V
- 30 nC @ 7.5 V
- 1405 pF @ 125 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 250V TSON-8
Инвентаризация: 9099
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Инвентаризация: 1330
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 7668
