- Модель продукта IMD2AT108
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
-
PDF
Инвентаризация:2038
Технические детали
- Тип монтажа SC-74, SOT-457
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Смываемый 300mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 50V
- Толщина ленты 300mV @ 500µA, 10mA
- Входной логический уровень - Низкий 500nA
- Входной логический уровень - Высокий 56 @ 5mA, 5V
- Тип диода 250MHz
- Длина рукоятки 22kOhms
- Включенные пакеты 22kOhms
- Максимальное переменное напряжение SMT6
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Инвентаризация: 629944
MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
Инвентаризация: 7858
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
Инвентаризация: 3258
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Инвентаризация: 33574
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Инвентаризация: 45518
