Инвентаризация:47018

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 14A, 10V
  • Материал феррулы 50W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PDFN (3.1x3.1)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 55 nC @ 10 V
  • 3234 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN

Инвентаризация: 13858

IC BUFFER INVERT 3.6V SC70-5

Инвентаризация: 7982

Top