- Модель продукта RQ3L050GNTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:12486
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 61mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 14.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 25µA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 2.8 nC @ 4.5 V
- 300 pF @ 30 V