Инвентаризация:4459

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33.6A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 8A, 10V
  • Материал феррулы 68W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 68 nC @ 10 V
  • 3800 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Инвентаризация: 28924

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

Инвентаризация: 10011

IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5

Инвентаризация: 18470

IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5

Инвентаризация: 1363

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

Инвентаризация: 2278

MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 2761

Top