- Модель продукта RQ3E075ATTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6123
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 23mOhm @ 7.5A, 10V
- Материал феррулы 15W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 10.4 nC @ 4.5 V
- 930 pF @ 15 V