Инвентаризация:6123

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 23mOhm @ 7.5A, 10V
  • Материал феррулы 15W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 10.4 nC @ 4.5 V
  • 930 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 257838

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON

Инвентаризация: 37328

BRIDGE RECT 1P 100V 2A 4HD DIP

Инвентаризация: 38034

JFET N-CH 40V SOT23

Инвентаризация: 8999

MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Инвентаризация: 6448

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

Инвентаризация: 21033

MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3

Инвентаризация: 5325

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 11133

Top