Инвентаризация:5500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.2W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.7A (Ta)
  • Глубина 1870pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
  • Тип симистора 20.3nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI3333-8 (Type UXB)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN

Инвентаризация: 2886

Top