Инвентаризация:4386

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 800mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A
  • Глубина 1550pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 4A, 4.5V
  • Тип симистора 16nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение U-DFN2030-6 (Type B)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Инвентаризация: 5054

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN

Инвентаризация: 10000

MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333

Инвентаризация: 4000

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

Инвентаризация: 10701

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Инвентаризация: 21740

TRANS NPN DARL 120V 1A SOT89-3

Инвентаризация: 80707

TRANS NPN 20V 1.5A 3DFN

Инвентаризация: 3000

Top