Инвентаризация:4365

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.6A (Ta), 37.1A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 37.5W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 17 nC @ 10 V
  • 864 pF @ 30 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

Инвентаризация: 412644

MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060

Инвентаризация: 4701

MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R

Инвентаризация: 4111

MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Инвентаризация: 101922

Top