Инвентаризация:54719

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 4A, 4.5V
  • Материал феррулы 650mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN2015-3
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 16 V
  • 10 nC @ 4.5 V
  • 282 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3

Инвентаризация: 12004

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

Инвентаризация: 3096

MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3

Инвентаризация: 31313

Top