Инвентаризация:32813

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 120mOhm @ 2.4A, 10V
  • Материал феррулы 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN1010D-3
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 11 nC @ 10 V
  • 309 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Инвентаризация: 53219

MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN

Инвентаризация: 25521

MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3

Инвентаризация: 45658

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3

Инвентаризация: 70201

MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3

Инвентаризация: 23214

Top