- Модель продукта IPD60N10S412ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7336
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12.2mOhm @ 60A, 10V
- Материал феррулы 94W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 46µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3-313
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 34 nC @ 10 V
- 2470 pF @ 25 V
- AEC-Q101